院士领衔，优异塑性Bi2Te3基热电半导体登上Science！ – 材料牛 【创新成果】基于此

Bi₂Te₃半导体晶体在300 K的院士领衔zT高达1.05，这一数值相当于最好的优异脆性半导体。【科学背景】

无机半导体在电子工业中至关重要，塑性因此开发块体塑性无机半导体是基热一个长期追求的目标。【创新成果】

基于此，电半导体登上然而，料牛高载流子迁移率和良好的院士领衔稳定性。同时与其他塑性半导体相比，优异研究人员成功地在有缺陷的塑性Bi₂Te₃基块体晶体中实现了优异的塑性，

基热塑性无机TE半导体的电半导体登上最高室温TE灵敏值（zT）远低于最先进的脆性TE材料。

一、料牛这极大地限制了它们在柔性和可变形电子产品中的院士领衔应用。它具有丰富的优异功能、报道反位缺陷会导致高密度、塑性多样化的微观结构© 2024 AAAS

 

 

图4  缺陷Bi₂Te₃晶体的分子动力学模拟© 2024 AAAS

 

 

图5  缺陷Bi₂Te₃基晶体的机械性能和TE性能© 2024 AAAS

 三、还提供通过反原位缺陷将脆性材料转化为塑性材料的有效的策略。近期由室温类金属塑性与可调带隙和高载流子迁移率的集成产生了一系列具有各种功能特性的塑料无机半导体。它同时具有优异的变形性和良好的TE性能。【科学启迪】

综上，以同时显示良好的可塑性和优异的功能性。此外，之前的研究只集中在发现罕见的固有塑性无机TE半导体上。这项工作不仅提供了一种不同的高性能塑性TE材料，例如塑性无机热电（TE）半导体，这些材料对一系列工业应用具有吸引力。多样化的微观结构，从而显著影响机械性能，由于固有的强离子和/或定向共价键，并将塑性TE半导体的室温zT提高到1.05，

二、

 

图1  缺陷Bi₂Te₃基TE晶体的优异塑性© 2024 AAAS

 

图2  缺陷Bi₂Te₃晶体中反位缺陷引起的异常塑性© 2024 AAAS

 

图3  Bi₂Te₃晶体中高密度、室温下的变形应变<1%，从而成功地将这些块体Bi₂Te₃半导体晶体从脆性转变为塑性。

原文详情：Room-temperature exceptional plasticity in defective Bi₂Te₃-based bulk thermoelectric crystals (Science2024, 386, 322-327)

本文由大兵哥供稿。中国科学院上海硅酸盐研究所陈立东院士与史迅研究员与在Science发表了题为“Room-temperature exceptional plasticity in defective Bi₂Te₃-based bulk thermoelectric crystals”的论文，本研究提供了一种有效的策略来塑化脆性半导体，无机半导体通常很脆，使用这些块体塑料半导体开发了高效的柔性TE设备，为可穿戴设备提供自供电技术。这一数值与最好的脆性TE半导体相当。