二氧化碲（TeO2）可为p型半导体？ – 材料牛 TeO2本身也极易还原为Te
最近，体材避免不必要的料牛科研投入。其价带顶都较深，氧化注意，半导
图3 β-TeO2块体（a）和单层（b）中本征缺陷的转变能级。华中科技大学肖泽文教授联合宁波东方理工大学（暂名）魏苏淮教授、料牛对TeO2可否成为p型半导体这一科学问题进行了研究。氧化维护了已有的半导掺杂理论和化学趋势。而Se单质、体材平衡费米能级始终位于带隙中间区域，疑则有进。从而贡献价带顶。TeO2本身也极易还原为Te，Te单质及其合金本身就是高迁移率p型半导体。因此，澄清了TeO2固有的绝缘特性和p型掺杂的不可能性。因此，其样品中残留着Se，也无法使TeO2成为p型半导体。
图4 β-TeO2块体（a,b）和单层（c,d）中本征缺陷在富Te（a,c）和富O（b，无异于通常的氧化物。
一、
二、“为学患无疑，TeO2多形体的导带底高于-4 eV，更重要的是，不论是块体还是单层，不论生长条件如何，
五、Te 5s轨道太深，因此，意味着其n型掺杂和p型掺杂都很困难，而极可能源于其他杂相。与其报道的高空穴浓度相互矛盾。所有本征缺陷的转变能级都在带隙中，【成果启示】
Zavabeti等人的工作在Nat. Electron. 4 277 (2021) 发表三年有余，
四、
图2 TeO2多形体和相关氧化物的能带排列。成了领域内亟需澄清的科学问题。肖泽文等人批判性地看待了TeO2可否成为p型半导体这一科学问题，当导带底低于-4 eV时，表现出恒定的绝缘特性。但竟无人质疑其结论的正确性。在科研中工作要“大胆假设”，【核心创新点】
基于掺杂极限法则，【导读】
p型透明氧化物半导体在半导体行业中的重要性不言而喻。不能有效地与O 2p轨道杂化。根据经验性的掺杂极限法则，他们发现，Zavabeti等人在二维b-TeO2样品中观察到的p型半导体行为是源于TeO2自身还是源于其他杂相，尽管后续工作多有与其矛盾之处，容易掺成n型；当价带顶高于-6 eV时，几乎不与O 2p轨道杂化，邱晨博士和东京科学大学（原名：东京工业大学）细野秀雄（Hideo Hosono）教授，对TeO2中的缺陷计算表明，
三、”科研人员不需要迷信“权威专家”和“权威期刊”，
原文详情：
Chin. Phys. Lett. 42, 016103 (2025)
DOI：10.1088/0256-307X/42/1/016103
https://cpl.iphy.ac.cn/en/article/doi/10.1088/0256-307X/42/1/016103
https://iopscience.iop.org/article/10.1088/0256-307X/42/1/016103
本文由肖泽文供稿
无法产生可观的载流子浓度，使科研人员更好地认识TeO2，对于我们熟知的TeO2多形体（α相、【数据概览】
图1 TeO2多形体的晶体结构和能带结构。超出了p型掺杂极限。应该时常批判性地阅读文献，该费米能级位置意味着零空穴浓度和绝缘特性，β相、更要“小心求证”。以绝缘性为人所知的TeO2在多篇论文中被当作p型半导体报道，β相和g相），平衡费米能级位于带隙中间区域，近年来，也造成了极大的困惑。其报道的费米能级位于价带顶之上0.9 eV处。并利用第一性原理计算，表现出绝缘的电学特性。
常言道，价带顶低于-6 eV，Zavabeti等人在二维b-TeO2样品中观察到的p型半导体行为不是TeO2的内禀性质，墨尔本大学Zavabeti等人将二维b-TeO2报道为高迁移率p型透明半导体 [Nat. Electron. 4 277 (2021)]。TeO2不论以何种形式（α相、因此TeO2的价带顶又深又局域，由于Te 5s轨道能级较深，不能有效地与O 2p轨道杂化，g相或二维纳米层）存在，引起了极大的关注，缺乏浅施主和浅受主，然而，Te 5s轨道能级非常深，即使通过外掺杂，不论化学条件和生长温度如何，表现出绝缘特性。d）条件下的形成能。此外，容易掺成p型。